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台積電楠梓廠區推動用地取得 結合日月光新廠增加萬人就業 高大特區加速發展
台積電楠梓廠區持續開發建設，預計5座廠於2027年第四季全部完工，高雄將成全球半導體最先進製程聚落。目前楠梓廠區達182.57公頃正進行用地取得，將由南科管理局與中油簽訂租用契約。(圖:本報資料照)
台積電楠梓廠區持續開發建設，P1廠已成功試產2奈米晶圓，預計5座廠於2027年第四季全部完工，高雄將成全球半導體最先進製程聚落。目前楠梓廠區達182.57公頃正進行用地取得，將由南科管理局與中油簽訂租用契約，廠區預計創年產值9600億元，增加約8千就業，加上日月光在楠梓科技園區將投資176億元設置先進封裝測試新廠，再增2千就業機會，合計約增加萬人工作機會，對於鄰近的高雄大學城特區發展，可望持續帶來正面助益。
高雄市長陳其邁指出，上任後積極推動高雄產業轉型，並擇定半導體為發展主軸，全力爭取台積電在高雄設廠，台積電進入建廠階段後，市府與廠方採取「全天候對接」模式，確保投資順利推進。楠梓產業園區的公共建設與建廠同步進行，涵蓋道路、污水、再生水、排洪、景觀及公共設施等。市府亦在行政程序、執照核發、環評及都計變更等面向積極協調，使各項審查順利銜接。
為優化交通運輸機能，高市府推動「高雄第三（楠梓）園區聯外交通整體計畫」，總經費 155.91 億元，由國科會南科管理局主責，與市府工務局新建工程處及交通部高速公路局合作推動。計畫內容包括增設國道一號楠梓匝道、台1線匝道、園區聯絡道路及拓寬高楠公路1003巷等，預計114年底發包、115年開工、117年底完工通車，將有效銜接主要幹道、縮短運輸時間並改善民生交通。
日月光在楠梓科技園區將投資176億元，興建地上8層、地下2層的先進封裝製程(CoWoS)終端測試廠房，將為半導體先進製程提供全新解決方案。K18B廠房目標2028年第一季完工，再增2千就業機會。(圖:高市府經發局提供)
同時全球封測龍頭日月光加碼投資高雄，K18B廠於10月3日舉行動土典禮，預計在楠梓科技園區興建地上8層、地下2層的先進封裝製程(CoWoS)終端測試廠房，將為半導體先進製程提供全新解決方案。K18B廠房目標2028年第一季完工，總投資金額新台幣176億元，可增加近2,000個就業機會。
市調顯示，隨著台積電楠梓廠區持續建設與上千位人員陸續進駐，對周圍後勁、高大特區房市發展帶來助益，高大特區第4季開始推案將加溫，包括藍田國小旁的興連城開發「敘青田」校園景觀輕豪宅大樓預售案、華友聯集團大學西路「以學MDT」景觀輕豪宅大樓預售案、茂德高雄大學旁「高大之上」輕豪宅大樓預售案與遠雄建設大學26街「遠雄一靚」輕豪宅大樓預售案等，售價帶都站上4字頭，部分高樓層戶傳出將挑戰5字頭高檔行情。
益群橋近後勁溪一帶，包括芳崗建設「芳崗河左岸」、永信「辰旭」新成屋大樓案已推出，福懋建設益群橋旁翠屏三期超高層景觀大樓案，則預計明年上半年完工進場。
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